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早川 和孝*; 長崎 正雅*; 山田 智明*; 吉野 正人*; 井川 直樹; 星川 晃範*; 石垣 徹*
no journal, ,
プロトン伝導性酸化物BaSnInOの結晶構造の静的な乱れについて、経験的ポテンシャルに基づく格子計算プログラムによって解析した。その結果、各原子はその平均位置からかなりずれて存在していることが明らかになった。計算によって得られた結晶構造情報を用いて中性子散乱長密度分布を求めたところ、Baの密度分布はほぼ球対称であるのに対し、酸素では異方性を持った分布をしていた。また、Sn/Inでは静的不規則性を示すような複雑な形状であった。本発表では、これらの結果と中性子散乱実験の解析とを比較・検討して報告する。
辻本 吉廣*; 山浦 一成*; 松下 能孝*; 室町 英治*; 林 直顕*; 樹神 克明; 井川 直樹; 白子 祐一*; 赤荻 正樹*
no journal, ,
本研究では、アニオン格子とフッ素化試薬の関係を調べるために、Ruddlesden-Popper型層状物質SrFeOのフッ素化反応とその結晶構造を調べた。本研究では、フッ化剤としてテフロンポリマー(-CF-)を、前駆体としてSrFeOを用い、そのフッ素化反応の検討を行った結果、これまでの報告よりも多くのフッ素が導入されたSrFeOFを合成することに成功した。中性子回折法及びFeメスバウアー法による解析の結果、この物質中のフッ素アニオンは選択的に頂点サイトを占有し、これを反映してFeは正方ピラミッド配位をとることがわかった。本発表ではさらに詳細な反応機構や結晶/磁気構造等についても報告する。
出崎 亮; 箱田 照幸; 山本 春也; 杉本 雅樹; 吉川 正人
no journal, ,
白金系脱水素触媒部品の開発を目指し、多孔質Si-C系基材を合成するプロセスの開発を行った。本プロセスでは、ポリカルボシラン(PCS)と発泡剤の一種であるバイウレアの混合物を原料とし、ダイレクト・フォーミング法による発泡処理、及び放射線照射によるPCS発泡体の不融化処理を行った後、焼成することによって多孔質基材を合成する。触媒を担持させる多孔質基材には、高比表面積,高強度、及び低い圧力損失(触媒部品の入口・出口における圧力差)が要求される。これら三者を両立させるには、数百mオーダーの制御された気孔径分布を有する開気孔の作製が重要である。そこで、原料の混合比や発泡処理温度が得られるPCS発泡体の気孔径分布に及ぼす影響を調べた結果、バイウレアの添加量として0.5wt%、発泡処理温度として280-300Cが適していることを明らかにし、平均350mの気孔を有するPCS発泡体を得ることができた。
齋藤 寛之
no journal, ,
純アルミニウムの水素化を高温高圧下で実現しその反応機構解明を行っている。純アルミニウムはその水素化物が常圧近傍で熱力学的に不安定であり、また表面酸化膜が強力に水素化反応を妨げるため、高圧法の長所を有効に活用できる金属種の一つである。純アルミニウムと同様の理由で水素化物の報告が少ないアルミニウム基合金の水素化反応探索も行っている。本発表ではこれらの研究成果について紹介する。